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石墨烯的制备工艺

石墨烯是一种非常特殊的材料，因为它具有导电和透明的优点。材料的透明度通常取决于它的电子性能，需要一个带隙。在正常情况下，透明度和电导率相互排斥，除了一些化合物，如铟锡氧化物(ITO)。然而，与ITO相比，石墨烯也很灵活，能够承受高强度的压力。该设备采用国际i领i先的环管链条输送结构，使该设备能够水平、垂直、倾斜等多方面组合输送，输送距离可达60m,输送高度40m,并且环管密封输送结构有效避免其他杂志的掺入，确保该设备能完全适用各种复杂多变的环境。因此，它对于柔性电子设备的应用非常有吸引力，例如触摸屏。因此，有大量的工作需要解决。本综述中所描述的方法是根据不同的要求来评价的:石墨烯的纯度，它是由缺乏固有缺陷(质量)、获得的薄片或层(尺寸)来定义的。另一方面是可以同时产生的石墨烯的数量或者是特殊设计的机器的复杂性。***后一个属性是该方法的可控性，以实现可重复的结果(控制)。

剥落基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面，石墨烯可以与已有的石墨晶体分离，即所谓的去角质方法，另一方面，石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年，诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。

增长表面获得石墨烯的一种完全不同的方法是直接在表面上种植石墨烯。因此，得到的层的大小并不依赖于初始的石墨晶体。。要么碳已经存在于底物中，要么必须由化学气相沉积(CVD)添加。

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剥落。基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面，石墨烯可以与已有的石墨晶体分离，即所谓的去角质方法，另一方面，石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年，诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。

1“透明胶带法”

在这种微机械的去角质方法中，石墨烯用胶粘带从石墨晶体中分离出来。剥落石墨后，多层石墨烯仍留在磁带上。通过反复剥落多层石墨烯，将其裂解成不同的薄层石墨烯薄片。之后，胶带附着在基片上，胶水就解决了，例如用丙i酮，以分离胶带，***后一个剥落的金属丝。石墨烯制备技术发展现状碳化硅外延法碳化硅外延法是在碳化硅单晶基底上，经过高温热处理，外延生长出单层石墨烯。所获得的薄片在尺寸和厚度上有很大的差异，在不同的尺寸范围内，从纳米材料到单层石墨烯，取决于所使用的晶圆片的制备。单层石墨烯的吸收率为2%，但由于干扰作用，在SiO2/Si的光学显微镜下可以看到。然而，这种方法很难获得大量的石墨烯，甚至不能考虑到缺乏可控性。这种方法的复杂性基本上是低的，然而，石墨烯薄片需要在地面上进行，这是劳动密集型的。所制备的石墨烯的质量非常高，几乎没有缺陷。

2分散的石墨

石墨烯可以在液相中制备。这样可以提高产量，从而获得更高的石墨烯量。***i简单的方法是将石墨分散在有机i溶剂中，其表面能量几乎与石墨相同。因此，能量障碍必须克服，才能从晶体中分离出来。然后超声在超声波浴中进行数百小时或电压的应用。在分散后，溶液必须离心，以处理厚片。所获得的石墨烯薄片的质量非常高，且具有很高的力学性能。功率衰减慢，使用寿命可长达20年，发热均匀性远优于金属丝、碳纤维发热等线状发热产品。但是它的大小仍然非常小，也不具备可控性。另一方面，复杂性很低，正如上面提到的，这个方法允许准备大量的图形。用热或化学方法将石墨烯导入常规石墨烯。几乎不可能处理掉所有的氧气。。这种方法的性能与原始石墨烯的液相剥离非常相似。只有复杂程度更高，因为石墨氧化物必须首先生产，所以需要使用几种化学物质。此外，所获得的氧化石墨烯必须在以后减少，使用热处理或化学试剂。与原始石墨烯相比，还原氧化石墨烯的质量很差，但氧化石墨烯可能是理想的产品。用Ca和Mg离子修饰的氧化石墨烯可以形成非常拉伸的氧化石墨烯纸，因为在石墨烯薄片的官能团之间，离子是交联剂。

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石墨烯的制备方法

石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药i物传递等方面具有重要的应用前景，被认为是一种未来革命性的材料。

石墨烯常见的粉体生产的方法为机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法，薄膜生产方法为化学气相沉积法（CVD）。

前石墨烯量产主要2种方法，一种成为化学氧化还原，用强氧化剂把石墨氧化，超声分散后再用还原剂或水热效应还原成为还原氧化石墨烯，优点是产量大（吨级），成本低，缺点是石墨烯质量不高。再通过加热、或者化学还原使所制氧化石墨烯脱去官能团重新石墨化。另一种称为化学气相沉积（CVD），是通过高温碳源气体在衬底上沉积一层碳原子膜，再溶解衬底得到石墨烯，优点是质量相对较高