石墨烯膨化设备价格常用指南 福滔微波信赖推荐

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石墨烯制备技术发展现状

碳化硅外延法

碳化硅外延法是在碳化硅单晶基底上，经过高温热处理，外延生长出单层石墨烯。目前世界上纳米材料的坚硬程度均不及石墨烯，其强度为钢材的200倍。该方法以单晶碳化硅为基础材料，经除去表面氧化物过程，然后在超高真空、高温(1 200 ～1 450℃ )条件下，热分解蒸发表面的硅（S i）原子，在碳化硅晶面上外延生长出石墨烯片。

该方法制备的石墨烯载流子迁移率高，适用于电学性能要求高的微电子器件。

化学气相沉积法

化学气相沉积（CVD）法是以碳氢气体为前驱物体，在铜、镍或者铂等金属的表面热裂解、沉积、成核形成单层石墨的物理化学过程。CVD法可以通过改变金属衬底的种类、反应温度、反应时间等工艺参数，实现对于石墨烯厚度和晶畴尺寸的调控。

CVD法制备石墨烯简单易行，制取的石墨烯品质高，且非常有利于大面积生产，产品直接得到石墨烯薄膜，再加工工艺简单。在石墨烯产品品质及工艺的简易性方面，CVD法相比其他3种方法具有明显的优势，因此CVD法目前已成为石墨烯生长领域的主流技术。